剩余電壓測(cè)試儀利用PN結(jié)或肖特基勢(shì)壘在反向偏壓時(shí)的電容特性，可以獲得材料中雜質(zhì)濃度及其分布的信息，這類測(cè)量成為C-V測(cè)量技術(shù)。這種測(cè)量可以提供材料橫截面均勻性及縱向雜質(zhì)濃度的分布信息。組成半導(dǎo)體器件的基本結(jié)構(gòu)的PN結(jié)具有電容效應(yīng)(勢(shì)壘電容)，加正向偏壓時(shí)，PN結(jié)勢(shì)壘區(qū)變窄，勢(shì)壘電容變大；加反向偏壓時(shí)，PN結(jié)勢(shì)壘區(qū)變寬，勢(shì)壘電容變小。
 

　　電流電壓測(cè)量方法，它用微處理器通過(guò)8次電壓測(cè)量來(lái)計(jì)算每次測(cè)量后要求的參數(shù)值。用一個(gè)相敏檢波器和模數(shù)轉(zhuǎn)換器順序快速完成電壓測(cè)量。正交測(cè)量通過(guò)交換測(cè)量信號(hào)的相位來(lái)進(jìn)行，而不是參考相位檢測(cè)。因而不需要精密的模擬相位轉(zhuǎn)換成電壓矩形波電路。通過(guò)從同一個(gè)高頻信號(hào)源形成測(cè)試信號(hào)和參考信號(hào)，來(lái)保證正確的相位關(guān)系。由微處理器根據(jù)已知的頻率和測(cè)試信號(hào)相位，用ROM存儲(chǔ)器內(nèi)的程序和所存儲(chǔ)的按鍵選擇來(lái)控制測(cè)量順序，以及存儲(chǔ)在RAM中的校準(zhǔn)數(shù)據(jù)來(lái)計(jì)算被測(cè)元件數(shù)值。
 

　　剩余電壓測(cè)試儀性能特點(diǎn)：
 

　?、旁O(shè)備電源電壓為峰值時(shí)斷電測(cè)試，保證了測(cè)試數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確性和一致性；
 

　?、茰y(cè)試阻抗≥1000MΩ,滿足L-E極間和可觸及電容器剩余電壓和能量測(cè)試的阻抗要求；
 

　?、嵌嘈问降臏y(cè)試功能。
 

　　A.各電源插腳之間剩余電壓；
 

　　B.每一電源插腳與設(shè)備外殼之間的剩余電壓；
 

　　C.設(shè)備外部可觸及電容器剩余電壓和能量測(cè)試；
 

　?、仁謩?dòng)/自動(dòng)轉(zhuǎn)換測(cè)試。即可以手動(dòng)進(jìn)行極間的分相測(cè)試，每2極間測(cè)試10次；也可以進(jìn)行自動(dòng)測(cè)試，完成三極間相互組合的測(cè)試，每種組合分別測(cè)試10次；
 

　?、勺詣?dòng)保持最大測(cè)試電壓值，測(cè)試剩余電壓超過(guò)60/34V自動(dòng)報(bào)警。